勤務地 : 関東 - 東京都
公開開始日 : 2024年05月07日
D124050231
研究分野 : ナノテク・材料 - 構造材料、機能材料 | ナノテク・材料 - ナノ構造物理 | ナノテク・材料 - 薄膜、表面界面物性 | ものづくり技術 - 電気電子材料工学 | ものづくり技術 - 電子デバイス、電子機器
研究員・ポスドク相当 : 契約職員・契約社員 - 任期あり - テニュアトラック以外 - 試用期間なし
業務内容
募集の背景、プロジェクトの説明
強誘電体ゲート・酸化物半導体チャネルを用いたMOSトランジスタの研究プロジェクト
仕事内容・職務内容
強誘電体ゲートあるいは酸化物半導体チャネルを用いたMOSトランジスタに関する研究の特認研究員
配属部署
既設部署
大学院工学系研究科 電気系工学専攻
職種
研究分野
給与
年収 : 300万円 ~
本学の就業規則に基づき支給。月額30~42万円の範囲で、経験、業績等に基づき支給。通勤手当は、本学の支給要件を満たす場合に支給。
勤務時間
就業時間 : 09:00-17:45
休憩時間 : 12:00-13:00
休日 :
土・日、祝日、年末年始(12月29日~1月3日)
年次有給休暇、特別休暇 等
時間外勤務、その他説明 : 専門業務型裁量労働制により、1日7時間45分勤務したものとみなされる。
募集要項
応募資格
応募に必要な学歴・学位
博士
業務における経験
半導体・強誘電体の専門分野で主体的に研究を行うための十分な資質と経験がある方。特に、以下の経験のある方を歓迎します。
・ トランジスタのや強誘電体薄膜などの半導体プロセスの経験
・ MOSトランジスタ・薄膜トランジスタ・半導体電子デバイスの設計・作製・評価の経験
・ 原子層堆積(ALD)の経験
雇用形態
契約職員・契約社員
契約期間
任期あり - テニュアトラック以外
年度ごとの更新あり
試用期間なし
勤務地
待遇
各種制度
通勤交通費支給制度 : あり
加入保険
健康保険 : あり
厚生年金保険 : あり
労災保険 : あり
雇用保険 : あり
応募上の配慮
採用人数
1名
募集期間
2024年05月07日~2025年03月31日 必着
採用はできるだけ早い時期。適用者が決まり次第、募集を締め切ります。
応募方法
応募書類
その他の電子応募書類
主要論文(3編以内)
応募書類の返却
応募書類はすべて当方にて責任を持って廃棄いたします。
選考・結果通知
選考内容
書類審査および面接
結果通知方法
面接後にメールにて連絡させていただきます。
連絡先
東京大学
工学系研究科 電気系工学専攻
Toprasertpong Kasidit
toprasertpong@mosfet.t.u-tokyo.ac.jp
備考